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元件参数资料
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参数目录42463
> SIHG22N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
型号:
SIHG22N60E-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SIHG22N60E-E3 PDF
标准包装
25
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
86nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1920pF @ 100V
功率 - 最大
227W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247AC
包装
管件
查看SIHG22N60E-E3代理商
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